قاب سامسونگ گلکسی win - ارسال رایگان به تمام نقاط کشور


فروشگاه قاب دارای مجوز نماد اعتماد الکترونیکی از وزارت صنعت، معدن و تجارت، از بزرگترین فروشگاه های آنلاین قاب موبایل، لوازم جانبی گوشی موبایل و تبلت و قاب موبایل در کشور می باشد. تقریبا هر نوع طرح قاب گوشی ، گارد کیف و کاور خصوصاً برای گوشی های آیفون، سامسونگ، سونی، ال جی، اچ تی سی، هواوی، نوکیا و بلک بری در این فروشگاه وجود دارد

در سال 2013 سامسونگ یکی از گوشی های خود را معرفی کرد این گوشی گلکسی وین نام دارد ابعاد گوشی گلکسی win چندان باریک نیست بدنه گوشی گلکسی win در ابعاد 133٫3×70٫7×9٫7 میلیمتر میباشد همچنین دارای وزن144 گرمی است و در دو رنگ مشکی و سفید عرضه شده است.



گوشی خود را انتخاب کنید

کالا:  
طرح:  



صفحه 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | ..... 40

صفحه 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | ..... 40





enamad

تحویل چند روزه

شبکه شتاب

پرداخت در محل




قاب سامسونگ گلکسی وین

قاب Samsung Galaxy Win I8550

طراحی و بدنه گلکسی win :

آندروید, Android, برنامه موبايل, آیپد, آیفون, دانلود, موبايل, كليپ, بازي, زنگ خوری, اس ام اس, جاوا, بازی آندروید, نرم افزار آندروید, Iphone ,Ipad - بررسی تخصصی Samsung Galaxy Win I8550
پورت میکرو یو اس بی در لبه پایینی قرار گرفته شده است
آندروید, Android, برنامه موبايل, آیپد, آیفون, دانلود, موبايل, كليپ, بازي, زنگ خوری, اس ام اس, جاوا, بازی آندروید, نرم افزار آندروید, Iphone ,Ipad - بررسی تخصصی Samsung Galaxy Win I8550
در لبه سمت راست گلکسی win دکمه پاور و در لبه سمت چپ کلید تنظیم ولوم قرار داده شده در لبه بالایی گلکسی win نیز جک هدفون 3٫5 میلیمتری تعبیه شده
آندروید, Android, برنامه موبايل, آیپد, آیفون, دانلود, موبايل, كليپ, بازي, زنگ خوری, اس ام اس, جاوا, بازی آندروید, نرم افزار آندروید, Iphone ,Ipad - بررسی تخصصی Samsung Galaxy Win I8550

پردازنده وحافظه گلکسی win :
گلکسی وین از پردازنده 4 هسته ای از نوعQualcomm Snapdragon 200 Chipse به همراه پردازنده گرافیکی نه چندان قرتمند از نوع Adreno 203 استفاده میکند بهتر بود سامسونگ از پردازنده گرافیکی بهتری استفاده میکرد.
حافظه داخلی این گوشی 8 گیگابایت به همراه رم 1 گیگابایتی قرار گرفته و میتوان از طریق شیار اس دی تا 32 گیگابایت دیگر افزود.

صفحه نمایش گلکسی win:
شرکت سامسونگ از صفحه نمایش TFT در گوشی گلکسی win استفاده کرده است رزولیشن این صفحه 800×480 به همراه پنل 4٫7 اینچی قرار گرفته تراکم پیکسلی نه چندان جالب 199 پیکسل در هر اینج در نظر گرفته شده است.
آندروید, Android, برنامه موبايل, آیپد, آیفون, دانلود, موبايل, كليپ, بازي, زنگ خوری, اس ام اس, جاوا, بازی آندروید, نرم افزار آندروید, Iphone ,Ipad - بررسی تخصصی Samsung Galaxy Win I8550
مشخصات کلی گلکسی win
تاریخ معرفی: 2013/04/10
فرم گوشی: ساده
ابعاد : 133٫3 × 70٫7 × 9٫7 mm
وزن: 144 گرم
پردازنده گلکسی win
مدل پردازنده: Qualcomm Snapdragon 200 ChipsetQuad-Core Cortex-A5 CPU
سرعت پردازنده : 1٫2ghz
پردازنده گرافیکی : adreno 203
حافظه گلکسی win
حافظه داخلی: 8گیگابایت
حافظه RAM : 1024 مگابایت
نوع کارت حافظه قابل نصب : میکرو اس دی
توضیحات کارت حافظه : قابلیت ارتقا تا 32 گیگابایت
شبکه های ارتباطی گلکسی win
باند شبکه 2G : GSM 850 / 900 / 1800 / 1900
باند شبکه 3G : HSDPA 900 / 2100
باند شبکه 4G : ————-
توضیحات WLAN : Wi-Fi 802.11 b/g/n, Wi-Fi Direct , Wi-Fi hotspot
NFC : ————
نسخه بلوتوث : 3٫1 with A2DP, EDR
نسخه USB : MicroUSB نسخه ی 2٫0
صفحه نمایش گلکسی win
اندازه صفحه نمایش اصلی : 4٫7 اینچ
رزولوشن صفحه نمایش اصلی : 800 × 480
تعداد رنگ صفحه نمایش اصلی : 16,777,216
قابلیت های صفحه نمایش : صفحه نمایش مالتی تاچ(Multi-Touch Input Method)دارای کنترل لمسی(Touch Sensitive Controls)تراکم پیکسلی 199ppi
دوربین گلکسی win
کیفیت دوربین : 5مگاپیکسل
دوربین مکالمه ویدئویی : VGA
ابعاد فیلم : 480p
توضیحات فیلم : قابلیت فیلم برداری با کیفیت 480p و با سرعت 30 فریم بر ثانیه
سایر قابلیت های دوربین : Geo-tagging, touch focus
توضیحات دوربین مکالمه ویدئویی : فیلم برداری با سرعت 30 فریم
امکانات نرم افزاری گلکسی win
ورژن سیستم عامل : v4.1.2 – Jelly Bean
مرورگر وب : HTML5
پخش موسیقی : دارد
فرمت موسیقی : MP3 , WAV , eAAC , AC3 , FLAC
فرمت پخش ویدئو : MP4 , DivX , XviDWMV , H.264 , H.263
باتری گلکسی win
ظرفیت باتری : 2000 mAh
زمان انتظار : 210 ساعت
زمان مکالمه : 11 ساعت

منبع: mobp30



معرفی نسل پنجم حافظه‌های V-NAND سامسونگ – نخستین حافظه 96 لایه‌ای در صنعت

واحد خبر : کمپانی سامسونگ الکترونیکس در روز دوشنبه 9 جولای 2018 (18 تیر 1397) از آغاز تولید انبوه نسل پنجم تراشه های حافظه فلش از نوع NAND سه بعدی که شرکت آن را V-NAND می نامد خبر داد. به گفته سامسونگ، این حافظه 256 گیگابیتی، بر خلاف نسل قبلی این حافظه ها که از نوع 64 لایه ای بودند، دارای بیش از 90 لایه خواهد بود. جالب است بدانید، این نخستین بار است که در صنعت حافظه از رابط Toggle DDR 4.0 استفاده شده و طبق ادعای شرکت سازنده، همین امر باعث شده تا سرعت انتقال داده بین فضای ذخیره سازی و حافظه، با 40 درصد افزایش نسبت به حافظه های 64 لایه ای، به 1.4 گیگابیت در ثانیه برسد. در ادامه جزییات بیشتری از نسل جدید حافظه های سامسونگ را مرور می کنیم.



افزایش سرعت انتقال داده بین فضای ذخیره سازی و حافظه، قاعدتا مصرف انرژی بیشتری را به تراشه تحمیل می کند، اما با توجه به اینکه ولتاژ عملیاتی از 1.8 به 1.2 ولت کاهش یافته، میزان مصرف انرژی در این حافظه جدید نسبت به نسل قبلی تغییر چندانی نداشته است. همچنین، سریع ترین سرعت نوشتن در بین حافظه ها به این تراشه تعلق دارد؛ طبق ادعای سامسونگ، سرعت نوشتن در نسل پنجم حافظه V-NAND، با ارتقاء 30 درصدی نسبت به نسل قبلی، به 500 میکرو ثانیه رسیده است. علی رغم اینکه مدت زمان تأخیر برای خواندن سیگنال ها (یا در اصطلاح read latency) در حافظه های 64 لایه ای سامسونگ، نسبت به حافظه های 48 لایه ای این شرکت بهبود نیافت، اما این بار سرعت آن در نسل پنجم که بیش از 90 لایه دارد با کاهشی چشمگیر، به 50 میکرو ثانیه رسیده است.


به گفته سامسونگ، در ساخت نسل پنجم حافظه های V-NAND، بیش از 90 لایه از سلول های 3 بعدی CTF به کار رفته است (برخی منابع، تعداد دقیق لایه ها را 96 اعلام کرده اند). این امر باعث می شود بدون افت میزان استقامت و اطمینان (که در نتیجه کوچک تر شدن پروسه تولید برای حافظه های مسطح NAND حادث می شود) بتوان چگالی را افزایش داد. ناگفته نماند، سامسونگ برای نخستین بار در آگوست سال 2017 بود که در جریان "نشست حافظه فلش" از حافظه V-NAND نود و شش لایه ای رونمایی کرد. جالب است بدانید، در بین کمپانی های صاحب نامی چون توشیبا، SK Hynix و Micron، سامسونگ نخستین شرکتی ست که اقدام به تولید حافظه V-NAND با بیش از 90 لایه نموده و سایر کمپانی ها در حال حاضر به حداکثر 72 لایه بسنده کرده اند. همین مزیت باعث خواهد شد تا سامسونگ مثل 7 فصل اخیر به روند سودآوری خود از این کسب وکار ادامه دهد.



سامسونگ مدعی شده که در حال حاضر، این بیشترین تعداد لایه است که در صنعت حافظه به کار می رود. گفته می شود این لایه ها در ساختاری هرمی شکل (با حفره های کانالی ذره بینی، در حالت عمودی) روی هم قرار گرفته اند. این حفره های کانالی که پهنای آنها تنها چند صد نانومتر است 85 میلیارد سلول CTF را در خود جای داده که هر کدام از این سلول ها می تواند تا 3 بیت داده را در خود ذخیره کند. این فرآیند تولید پیشرفته، حاصل چندین دستاورد بزرگ است، از جمله طراحی های پیشرفته مدار و تکنولوژی های پردازشی جدید.


به گفته سامسونگ، به لطف ارتقاء صورت گرفته در پروسه چگالش لایه اتمیِ حافظه جدید V-NAND، بهره وری تولید نیز تا بیش از 30 درصد افزایش یافته است. از مزایای این تکنیک پیشرفته آن است که ارتفاع هر لایه سلول را تا 20 درصد کاهش داده، از تداخل بین سلول ها جلوگیری کرده و بازدهی پردازش داده تراشه را افزایش می دهد. یکی از مزایای کاهش ارتفاع سلول ها آن است که این کار به کاهش نسبت ابعادِ بسیار بالای حفره ها کمک می کند. گفته می شود علت اصلی تأخیرهایی که در حافظه 48 لایه ای V-NAND شاهد آن بودیم، همین نسبت ابعاد بالا بوده است. در نتیجه، در آن مقطع توسعه حافظه NAND سامسونگ از بهبودهایی که در بخش کنترل گر SSD این شرکت حاصل شده بود، عقب ماند و موجب شد تا چندین بار تولید این محصول کنسل شود.



کای هیون کیونگ (Kye Hyun Kyung)، مدیر عامل اجرایی بخش تکنولوژی و محصولات فلش در کمپانی سامسونگ، نسل پنجم V-NAND را پیشرفته ترین نوع حافظه NAND در بازار حافظه های مدرن می داند. نخستین سری حافظه های 96 لایه ای سامسونگ با استفاده از قالب 256 گیگابیتی TLC (سه بیت در هر سلول) به تولید انبوه خواهد رسید. پیش بینی می شود این نوع از حافظه، کاربرد گسترده ای در بازارهای موبایل و SSD داشته باشد. اما برای تأمین تقاضا برای محصولاتی که ظرفیت حافظه بیشتر و هزینه پایین تری به ازای هر بیت نیاز دارند (مخصوصا درایوهای SSD در بخش سازمانی)، قالب های بزرگ تری نیاز است، مثل قالب های 1 ترابیتی QLC (چهار بیت در هر سلول). البته طبق اظهارات کای هیون کیونگ، علاوه بر پیشرفت هایی که ذکر شد، سامسونگ خود را برای تولید این دسته از حافظه ها نیز آماده می کند.


درپایان گفتنی ست، سامسونگ در زمینه تولید حافظه های با چگالی بالا برای بخش های مختلفی مثل ابرکامپیوترها، سرورهای سازمانی و اسمارت فون های پیشرفته، سرآمد بوده و قصد دارد به منظور تأمین طیف گسترده ای از نیازهای بازار، میزان تولید نسل پنجم V-NAND را به سرعت افزایش دهد. 





Thursday, July 12, 2018




سرفیس فون مایکروسافت عرضه نخواهد شد


در مصاحبه جدید انجام شده توسط پانوس پانای (Panos Panay) خیال کاربران را راحت کرد و اعلام کرد که شرکت مایکروسافت برنامه ای را برای عرضه گوشی هوشمند انعطاف پذیر سرفیس فون ندارد. مدتی است که شایعاتی درباره گوشی هوشمند منعطف مایکروسافت منتشر می شود و در چند ماه گذشته تعداد زیادی از کاربران گزارش ...


نوشته سرفیس فون مایکروسافت عرضه نخواهد شد اولین بار در پدیدار شد.



Wednesday, July 18, 2018