قاب آیفون 4s - ارسال رایگان به تمام نقاط کشور


فروشگاه قاب دارای مجوز نماد اعتماد الکترونیکی از وزارت صنعت، معدن و تجارت، از بزرگترین فروشگاه های آنلاین قاب موبایل، لوازم جانبی گوشی موبایل و تبلت و قاب موبایل در کشور می باشد. تقریبا هر نوع طرح قاب گوشی ، گارد کیف و کاور خصوصاً برای گوشی های آیفون، سامسونگ، سونی، ال جی، اچ تی سی، هواوی، نوکیا و بلک بری در این فروشگاه وجود دارد

آخرین چیزی که به آن نیاز دارید ، دقیقا گوشی تلفن همراهی با ظاهری زیبا چون گوشی شماست.اما شاید خاتمه دادن به آن زود باشد،شما با هم عالی به نظر می رسید، شما و آیفون 4 تان.درواقع هنوز هم واقعا به هم می آیید. کاربران iPhone 4S ، این صحبت میان شما و سخنگوی رسمی گوشی تان یعنی Siri است. کاربران iPhone 4 ، این صحبت میان شما و صدای ناطق گوشی تان یعنی Siri است.می دانم هم Siri و هم ضمیر ناخودآگاه تان شما را به سوی آیفون بعدی سوق می دهد.نمی گویم به آن گوش نکنید فقط کمی منتظر باشید. شاید این بررسی بتواند به شما کمک کند.



گوشی خود را انتخاب کنید

کالا:  
طرح:  



صفحه 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | ..... 40

صفحه 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | ..... 40





enamad

تحویل چند روزه

شبکه شتاب

پرداخت در محل


معرفی نسل پنجم حافظه‌های V-NAND سامسونگ – نخستین حافظه 96 لایه‌ای در صنعت

واحد خبر : کمپانی سامسونگ الکترونیکس در روز دوشنبه 9 جولای 2018 (18 تیر 1397) از آغاز تولید انبوه نسل پنجم تراشه های حافظه فلش از نوع NAND سه بعدی که شرکت آن را V-NAND می نامد خبر داد. به گفته سامسونگ، این حافظه 256 گیگابیتی، بر خلاف نسل قبلی این حافظه ها که از نوع 64 لایه ای بودند، دارای بیش از 90 لایه خواهد بود. جالب است بدانید، این نخستین بار است که در صنعت حافظه از رابط Toggle DDR 4.0 استفاده شده و طبق ادعای شرکت سازنده، همین امر باعث شده تا سرعت انتقال داده بین فضای ذخیره سازی و حافظه، با 40 درصد افزایش نسبت به حافظه های 64 لایه ای، به 1.4 گیگابیت در ثانیه برسد. در ادامه جزییات بیشتری از نسل جدید حافظه های سامسونگ را مرور می کنیم.



افزایش سرعت انتقال داده بین فضای ذخیره سازی و حافظه، قاعدتا مصرف انرژی بیشتری را به تراشه تحمیل می کند، اما با توجه به اینکه ولتاژ عملیاتی از 1.8 به 1.2 ولت کاهش یافته، میزان مصرف انرژی در این حافظه جدید نسبت به نسل قبلی تغییر چندانی نداشته است. همچنین، سریع ترین سرعت نوشتن در بین حافظه ها به این تراشه تعلق دارد؛ طبق ادعای سامسونگ، سرعت نوشتن در نسل پنجم حافظه V-NAND، با ارتقاء 30 درصدی نسبت به نسل قبلی، به 500 میکرو ثانیه رسیده است. علی رغم اینکه مدت زمان تأخیر برای خواندن سیگنال ها (یا در اصطلاح read latency) در حافظه های 64 لایه ای سامسونگ، نسبت به حافظه های 48 لایه ای این شرکت بهبود نیافت، اما این بار سرعت آن در نسل پنجم که بیش از 90 لایه دارد با کاهشی چشمگیر، به 50 میکرو ثانیه رسیده است.


به گفته سامسونگ، در ساخت نسل پنجم حافظه های V-NAND، بیش از 90 لایه از سلول های 3 بعدی CTF به کار رفته است (برخی منابع، تعداد دقیق لایه ها را 96 اعلام کرده اند). این امر باعث می شود بدون افت میزان استقامت و اطمینان (که در نتیجه کوچک تر شدن پروسه تولید برای حافظه های مسطح NAND حادث می شود) بتوان چگالی را افزایش داد. ناگفته نماند، سامسونگ برای نخستین بار در آگوست سال 2017 بود که در جریان "نشست حافظه فلش" از حافظه V-NAND نود و شش لایه ای رونمایی کرد. جالب است بدانید، در بین کمپانی های صاحب نامی چون توشیبا، SK Hynix و Micron، سامسونگ نخستین شرکتی ست که اقدام به تولید حافظه V-NAND با بیش از 90 لایه نموده و سایر کمپانی ها در حال حاضر به حداکثر 72 لایه بسنده کرده اند. همین مزیت باعث خواهد شد تا سامسونگ مثل 7 فصل اخیر به روند سودآوری خود از این کسب وکار ادامه دهد.



سامسونگ مدعی شده که در حال حاضر، این بیشترین تعداد لایه است که در صنعت حافظه به کار می رود. گفته می شود این لایه ها در ساختاری هرمی شکل (با حفره های کانالی ذره بینی، در حالت عمودی) روی هم قرار گرفته اند. این حفره های کانالی که پهنای آنها تنها چند صد نانومتر است 85 میلیارد سلول CTF را در خود جای داده که هر کدام از این سلول ها می تواند تا 3 بیت داده را در خود ذخیره کند. این فرآیند تولید پیشرفته، حاصل چندین دستاورد بزرگ است، از جمله طراحی های پیشرفته مدار و تکنولوژی های پردازشی جدید.


به گفته سامسونگ، به لطف ارتقاء صورت گرفته در پروسه چگالش لایه اتمیِ حافظه جدید V-NAND، بهره وری تولید نیز تا بیش از 30 درصد افزایش یافته است. از مزایای این تکنیک پیشرفته آن است که ارتفاع هر لایه سلول را تا 20 درصد کاهش داده، از تداخل بین سلول ها جلوگیری کرده و بازدهی پردازش داده تراشه را افزایش می دهد. یکی از مزایای کاهش ارتفاع سلول ها آن است که این کار به کاهش نسبت ابعادِ بسیار بالای حفره ها کمک می کند. گفته می شود علت اصلی تأخیرهایی که در حافظه 48 لایه ای V-NAND شاهد آن بودیم، همین نسبت ابعاد بالا بوده است. در نتیجه، در آن مقطع توسعه حافظه NAND سامسونگ از بهبودهایی که در بخش کنترل گر SSD این شرکت حاصل شده بود، عقب ماند و موجب شد تا چندین بار تولید این محصول کنسل شود.



کای هیون کیونگ (Kye Hyun Kyung)، مدیر عامل اجرایی بخش تکنولوژی و محصولات فلش در کمپانی سامسونگ، نسل پنجم V-NAND را پیشرفته ترین نوع حافظه NAND در بازار حافظه های مدرن می داند. نخستین سری حافظه های 96 لایه ای سامسونگ با استفاده از قالب 256 گیگابیتی TLC (سه بیت در هر سلول) به تولید انبوه خواهد رسید. پیش بینی می شود این نوع از حافظه، کاربرد گسترده ای در بازارهای موبایل و SSD داشته باشد. اما برای تأمین تقاضا برای محصولاتی که ظرفیت حافظه بیشتر و هزینه پایین تری به ازای هر بیت نیاز دارند (مخصوصا درایوهای SSD در بخش سازمانی)، قالب های بزرگ تری نیاز است، مثل قالب های 1 ترابیتی QLC (چهار بیت در هر سلول). البته طبق اظهارات کای هیون کیونگ، علاوه بر پیشرفت هایی که ذکر شد، سامسونگ خود را برای تولید این دسته از حافظه ها نیز آماده می کند.


درپایان گفتنی ست، سامسونگ در زمینه تولید حافظه های با چگالی بالا برای بخش های مختلفی مثل ابرکامپیوترها، سرورهای سازمانی و اسمارت فون های پیشرفته، سرآمد بوده و قصد دارد به منظور تأمین طیف گسترده ای از نیازهای بازار، میزان تولید نسل پنجم V-NAND را به سرعت افزایش دهد. 





Thursday, July 12, 2018




مشخصات گلکسی تب اس 4 توسط یک منبع رسمی منتشر شد


یک منبع رسمی مشخصات تبلت پرچمدار سامسونگ یعنی گلکسی تب اس 4 (Samsung Galaxy Tab S4) را منتشر کرده است.تاکنون تصاویر رندر مختلفی از این تبلت منتشر شده است و همچنین موفق به دریافت تاییدیه FCC هم شده است.ضمنا بنچمارک های این تبلت هم منتشر شده است. همانطور که انتظار داشتیم،گلکسی تب اس 4 سامسونگ ...


نوشته مشخصات گلکسی تب اس 4 توسط یک منبع رسمی منتشر شد اولین بار در پدیدار شد.



Wednesday, July 18, 2018