قاب گوشی سامسونگ گلکسی win - Samsung Galaxy Win - کوبیسم

قاب سامسونگ گلکسی win



مدل قاب سامسونگ گلکسی win کوبیسم

  • - قاب گوشی سامسونگ گلکسی win - Samsung Galaxy Win - کوبیسم
  • - کد محصول: 100773
  • - مدل گوشی: سامسونگ گلکسی win
  • - طرح: کوبیسم
  • - نوع محصول: قاب سامسونگ گلکسی win
  • - کلمه کلیدی: Samsung Galaxy Win

  • - تعداد بازدید: 1497
  • - قیمت: 37,000 تومان




توضیحات قاب Samsung Galaxy Win کوبیسم

- ارسال رایگان قاب طرح کوبیسم به تمام نقاط کشور
- اول تحویل بگیرید بعد مبلغ 37,000 تومان را پرداخت کنید
- محصول چندین کشور آسیای شرقی و اروپا
- برخلاف قاب های ژله ای، رنگ قاب ها درطول زمان اصلا کمرنگ نمی شود
این قاب گوشی سامسونگ گلکسی win از جنس فایبرگلاس و پلاستیک محکم با قابلیت انعطاف ملایم می‌باشد و به خوبی از کناره‌ها و پشت گوشی Samsung Galaxy Win شما محافظت خواهد کرد. این محافظ می‌تواند موبایل شما را از ضربه و خط و خش محفوظ دارد. همچنین دسترسی به تمامی کلیدها و پورت‌های گوشی به راحتی امکان پذیر است.


قابلیت های اصلی کاور سامسونگ گلکسی win

-جنس: فایبرگلاس و پلاستیک محکم با قابلیت انعطاف ملایم
- تضمین برگشت پول 10 روزه طبق قوانین سایت.
- قابلیت دسترسی سریع و آسان به تمامی دکمه‌ها و پورت‌های گوشی و دوربین آن.
- ابعاد و استحکام بسیار مناسب.
- قاب گوشی سامسونگ گلکسی win دارای ضربه گیر نازکی است که ضمن حفظ ظرافت گوشی شما، محافظ خوبی نیز هست.
- قابلیت انعطاف کم برای نشکستن قاب و خود گوشی.
- حجم گوشی موبایل در آن افزایش چشمگیری ندارد.











انتشار تصویر تبلیغاتی شیائومی Mi A2


اولین تصویر تبلیغاتی گوشی سامسونگ گلکسی win و هوشمند شیائومی Mi A2 مجهز به سیستم عامل اندروید وان شرکت گوگل منتشر شده است.شیائومی در 24 جولای (2 مردادماه) یک رویداد خبری ویژه را در مادرید اسپانیا میزبانی خواهد کرد و انتظار می رود در این رویداد از گوشی سامسونگ گلکسی win و هوشمند شیائومی Mi A2 بعنوان نسل جدید Mi A2 رونمایی کند.به ...


نوشته انتشار تصویر تبلیغاتی شیائومی Mi A2 اولین بار در پدیدار شد.



Tuesday, July 17, 2018




معرفی نسل پنجم حافظه‌های V-NAND سامسونگ – نخستین حافظه 96 لایه‌ای در صنعت

واحد خبر : کمپانی سامسونگ الکترونیکس در روز دوشنبه 9 جولای 2018 (18 تیر 1397) از آغاز تولید انبوه نسل پنجم تراشه های حافظه فلش از نوع NAND سه بعدی که شرکت آن را V-NAND می نامد خبر داد. به گفته سامسونگ، این حافظه 256 گیگابیتی، بر خلاف نسل قبلی این حافظه ها که از نوع 64 لایه ای بودند، دارای بیش از 90 لایه خواهد بود. جالب است بدانید، این نخستین بار است که در صنعت حافظه از رابط Toggle DDR 4.0 استفاده شده و طبق ادعای شرکت سازنده، همین امر باعث شده تا سرعت انتقال داده بین فضای ذخیره سازی و حافظه، با 40 درصد افزایش نسبت به حافظه های 64 لایه ای، به 1.4 گیگابیت در ثانیه برسد. در ادامه جزییات بیشتری از نسل جدید حافظه های سامسونگ را مرور می کنیم.



افزایش سرعت انتقال داده بین فضای ذخیره سازی و حافظه، قاعدتا مصرف انرژی بیشتری را به تراشه تحمیل می کند، اما با توجه به اینکه ولتاژ عملیاتی از 1.8 به 1.2 ولت کاهش یافته، میزان مصرف انرژی در این حافظه جدید نسبت به نسل قبلی تغییر چندانی نداشته است. همچنین، سریع ترین سرعت نوشتن در بین حافظه ها به این تراشه تعلق دارد؛ طبق ادعای سامسونگ، سرعت نوشتن در نسل پنجم حافظه V-NAND، با ارتقاء 30 درصدی نسبت به نسل قبلی، به 500 میکرو ثانیه رسیده است. علی رغم اینکه مدت زمان تأخیر برای خواندن سیگنال ها (یا در اصطلاح read latency) در حافظه های 64 لایه ای سامسونگ، نسبت به حافظه های 48 لایه ای این شرکت بهبود نیافت، اما این بار سرعت آن در نسل پنجم که بیش از 90 لایه دارد با کاهشی چشمگیر، به 50 میکرو ثانیه رسیده است.


به گفته سامسونگ، در ساخت نسل پنجم حافظه های V-NAND، بیش از 90 لایه از سلول های 3 بعدی CTF به کار رفته است (برخی منابع، تعداد دقیق لایه ها را 96 اعلام کرده اند). این امر باعث می شود بدون افت میزان استقامت و اطمینان (که در نتیجه کوچک تر شدن پروسه تولید برای حافظه های مسطح NAND حادث می شود) بتوان چگالی را افزایش داد. ناگفته نماند، سامسونگ برای نخستین بار در آگوست سال 2017 بود که در جریان "نشست حافظه فلش" از حافظه V-NAND نود و شش لایه ای رونمایی کرد. جالب است بدانید، در بین کمپانی های صاحب نامی چون توشیبا، SK Hynix و Micron، سامسونگ نخستین شرکتی ست که اقدام به تولید حافظه V-NAND با بیش از 90 لایه نموده و سایر کمپانی ها در حال حاضر به حداکثر 72 لایه بسنده کرده اند. همین مزیت باعث خواهد شد تا سامسونگ مثل 7 فصل اخیر به روند سودآوری خود از این کسب وکار ادامه دهد.



سامسونگ مدعی شده که در حال حاضر، این بیشترین تعداد لایه است که در صنعت حافظه به کار می رود. گفته می شود این لایه ها در ساختاری هرمی شکل (با حفره های کانالی ذره بینی، در حالت عمودی) روی هم قرار گرفته اند. این حفره های کانالی که پهنای آنها تنها چند صد نانومتر است 85 میلیارد سلول CTF را در خود جای داده که هر کدام از این سلول ها می تواند تا 3 بیت داده را در خود ذخیره کند. این فرآیند تولید پیشرفته، حاصل چندین دستاورد بزرگ است، از جمله طراحی های پیشرفته مدار و تکنولوژی های پردازشی جدید.


به گفته سامسونگ، به لطف ارتقاء صورت گرفته در پروسه چگالش لایه اتمیِ حافظه جدید V-NAND، بهره وری تولید نیز تا بیش از 30 درصد افزایش یافته است. از مزایای این تکنیک پیشرفته آن است که ارتفاع هر لایه سلول را تا 20 درصد کاهش داده، از تداخل بین سلول ها جلوگیری کرده و بازدهی پردازش داده تراشه را افزایش می دهد. یکی از مزایای کاهش ارتفاع سلول ها آن است که این کار به کاهش نسبت ابعادِ بسیار بالای حفره ها کمک می کند. گفته می شود علت اصلی تأخیرهایی که در حافظه 48 لایه ای V-NAND شاهد آن بودیم، همین نسبت ابعاد بالا بوده است. در نتیجه، در آن مقطع توسعه حافظه NAND سامسونگ از بهبودهایی که در بخش کنترل گر SSD این شرکت حاصل شده بود، عقب ماند و موجب شد تا چندین بار تولید این محصول کنسل شود.



کای هیون کیونگ (Kye Hyun Kyung)، مدیر عامل اجرایی بخش تکنولوژی و محصولات فلش در کمپانی سامسونگ، نسل پنجم V-NAND را پیشرفته ترین نوع حافظه NAND در بازار حافظه های مدرن می داند. نخستین سری حافظه های 96 لایه ای سامسونگ با استفاده از قالب 256 گیگابیتی TLC (سه بیت در هر سلول) به تولید انبوه خواهد رسید. پیش بینی می شود این نوع از حافظه، کاربرد گسترده ای در بازارهای موبایل Samsung Galaxy Win و و SSD داشته باشد. اما برای تأمین تقاضا برای محصولاتی که ظرفیت حافظه بیشتر و هزینه پایین تری به ازای هر بیت نیاز دارند (مخصوصا درایوهای SSD در بخش سازمانی)، قالب های بزرگ تری نیاز است، مثل قالب های 1 ترابیتی QLC (چهار بیت در هر سلول). البته طبق اظهارات کای هیون کیونگ، علاوه بر پیشرفت هایی که ذکر شد، سامسونگ خود را برای تولید این دسته از حافظه ها نیز آماده می کند.


درپایان گفتنی ست، سامسونگ در زمینه تولید حافظه های با چگالی بالا برای بخش های مختلفی مثل ابرکامپیوترها، سرورهای سازمانی و اسمارت فون های پیشرفته، سرآمد بوده و قصد دارد به منظور تأمین طیف گسترده ای از نیازهای بازار، میزان تولید نسل پنجم V-NAND را به سرعت افزایش دهد. 





Thursday, July 12, 2018