قاب گوشی سونی Z2 mini - Sony Z2 mini نقش دار

قاب سونی Z2 mini



مدل قاب سونی Z2 mini نقش دار

  • - قاب گوشی سونی Z2 mini - Sony Z2 mini نقش دار
  • - کد محصول: 142543
  • - مدل گوشی: سونی Z2 mini
  • - طرح: نقش دار
  • - نوع محصول: قاب سونی Z2 mini
  • - کلمه کلیدی: Sony Z2 mini

  • - تعداد بازدید: 2198
  • - قیمت: 30,400 تومان




توضیحات قاب Sony Z2 mini نقش دار

- ارسال رایگان قاب طرح نقش دار به تمام نقاط کشور
- اول تحویل بگیرید بعد مبلغ 30,400 تومان را پرداخت کنید
- محصول چندین کشور آسیای شرقی و اروپا
- برخلاف قاب های ژله ای، رنگ قاب ها درطول زمان اصلا کمرنگ نمی شود
این قاب گوشی سونی Z2 mini از جنس فایبرگلاس و پلاستیک محکم با قابلیت انعطاف ملایم می‌باشد و به خوبی از کناره‌ها و پشت گوشی Sony Z2 mini شما محافظت خواهد کرد. این محافظ می‌تواند موبایل شما را از ضربه و خط و خش محفوظ دارد. همچنین دسترسی به تمامی کلیدها و پورت‌های گوشی به راحتی امکان پذیر است.


قابلیت های اصلی کاور سونی Z2 mini

-جنس: فایبرگلاس و پلاستیک محکم با قابلیت انعطاف ملایم
- تضمین برگشت پول 10 روزه طبق قوانین سایت.
- قابلیت دسترسی سریع و آسان به تمامی دکمه‌ها و پورت‌های گوشی و دوربین آن.
- ابعاد و استحکام بسیار مناسب.
- قاب گوشی سونی Z2 mini دارای ضربه گیر نازکی است که ضمن حفظ ظرافت گوشی شما، محافظ خوبی نیز هست.
- قابلیت انعطاف کم برای نشکستن قاب و خود گوشی.
- حجم گوشی موبایل در آن افزایش چشمگیری ندارد.











مشخصات گلکسی تب اس 4 توسط یک منبع رسمی منتشر شد


یک منبع رسمی مشخصات تبلت پرچمدار سامسونگ یعنی گلکسی تب اس 4 (Samsung Galaxy Tab S4) را منتشر کرده است.تاکنون تصاویر رندر مختلفی از این تبلت منتشر شده است و همچنین موفق به دریافت تاییدیه FCC هم شده است.ضمنا بنچمارک های این تبلت هم منتشر شده است. همانطور که انتظار داشتیم،گلکسی تب اس 4 سامسونگ ...


نوشته مشخصات گلکسی تب اس 4 توسط یک منبع رسمی منتشر شد اولین بار در پدیدار شد.



Wednesday, July 18, 2018




معرفی نسل پنجم حافظه‌های V-NAND سامسونگ – نخستین حافظه 96 لایه‌ای در صنعت

واحد خبر : کمپانی سامسونگ الکترونیکس در روز دوشنبه 9 جولای 2018 (18 تیر 1397) از آغاز تولید انبوه نسل پنجم تراشه های حافظه فلش از نوع NAND سه بعدی که شرکت آن را V-NAND می نامد خبر داد. به گفته سامسونگ، این حافظه 256 گیگابیتی، بر خلاف نسل قبلی این حافظه ها که از نوع 64 لایه ای بودند، دارای بیش از 90 لایه خواهد بود. جالب است بدانید، این نخستین بار است که در صنعت حافظه از رابط Toggle DDR 4.0 استفاده شده و طبق ادعای شرکت سازنده، همین امر باعث شده تا سرعت انتقال داده بین فضای ذخیره سازی و حافظه، با 40 درصد افزایش نسبت به حافظه های 64 لایه ای، به 1.4 گیگابیت در ثانیه برسد. در ادامه جزییات بیشتری از نسل جدید حافظه های سامسونگ را مرور می کنیم.



افزایش سرعت انتقال داده بین فضای ذخیره سازی و حافظه، قاعدتا مصرف انرژی بیشتری را به تراشه تحمیل می کند، اما با توجه به اینکه ولتاژ عملیاتی از 1.8 به 1.2 ولت کاهش یافته، میزان مصرف انرژی در این حافظه جدید نسبت به نسل قبلی تغییر چندانی نداشته است. همچنین، سریع ترین سرعت نوشتن در بین حافظه ها به این تراشه تعلق دارد؛ طبق ادعای سامسونگ، سرعت نوشتن در نسل پنجم حافظه V-NAND، با ارتقاء 30 درصدی نسبت به نسل قبلی، به 500 میکرو ثانیه رسیده است. علی رغم اینکه مدت زمان تأخیر برای خواندن سیگنال ها (یا در اصطلاح read latency) در حافظه های 64 لایه ای سامسونگ، نسبت به حافظه های 48 لایه ای این شرکت بهبود نیافت، اما این بار سرعت آن در نسل پنجم که بیش از 90 لایه دارد با کاهشی چشمگیر، به 50 میکرو ثانیه رسیده است.


به گفته سامسونگ، در ساخت نسل پنجم حافظه های V-NAND، بیش از 90 لایه از سلول های 3 بعدی CTF به کار رفته است (برخی منابع، تعداد دقیق لایه ها را 96 اعلام کرده اند). این امر باعث می شود بدون افت میزان استقامت و اطمینان (که در نتیجه کوچک تر شدن پروسه تولید برای حافظه های مسطح NAND حادث می شود) بتوان چگالی را افزایش داد. ناگفته نماند، سامسونگ برای نخستین بار در آگوست سال 2017 بود که در جریان "نشست حافظه فلش" از حافظه V-NAND نود و شش لایه ای رونمایی کرد. جالب است بدانید، در بین کمپانی های صاحب نامی چون توشیبا، SK Hynix و Micron، سامسونگ نخستین شرکتی ست که اقدام به تولید حافظه V-NAND با بیش از 90 لایه نموده و سایر کمپانی ها در حال حاضر به حداکثر 72 لایه بسنده کرده اند. همین مزیت باعث خواهد شد تا سامسونگ مثل 7 فصل اخیر به روند سودآوری خود از این کسب وکار ادامه دهد.



سامسونگ مدعی شده که در حال حاضر، این بیشترین تعداد لایه است که در صنعت حافظه به کار می رود. گفته می شود این لایه ها در ساختاری هرمی شکل (با حفره های کانالی ذره بینی، در حالت عمودی) روی هم قرار گرفته اند. این حفره های کانالی که پهنای آنها تنها چند صد نانومتر است 85 میلیارد سلول CTF را در خود جای داده که هر کدام از این سلول ها می تواند تا 3 بیت داده را در خود ذخیره کند. این فرآیند تولید پیشرفته، حاصل چندین دستاورد بزرگ است، از جمله طراحی های پیشرفته مدار و تکنولوژی های پردازشی جدید.


به گفته سامسونگ، به لطف ارتقاء صورت گرفته در پروسه چگالش لایه اتمیِ حافظه جدید V-NAND، بهره وری تولید نیز تا بیش از 30 درصد افزایش یافته است. از مزایای این تکنیک پیشرفته آن است که ارتفاع هر لایه سلول را تا 20 درصد کاهش داده، از تداخل بین سلول ها جلوگیری کرده و بازدهی پردازش داده تراشه را افزایش می دهد. یکی از مزایای کاهش ارتفاع سلول ها آن است که این کار به کاهش نسبت ابعادِ بسیار بالای حفره ها کمک می کند. گفته می شود علت اصلی تأخیرهایی که در حافظه 48 لایه ای V-NAND شاهد آن بودیم، همین نسبت ابعاد بالا بوده است. در نتیجه، در آن مقطع توسعه حافظه NAND سامسونگ از بهبودهایی که در بخش کنترل گر SSD این شرکت حاصل شده بود، عقب ماند و موجب شد تا چندین بار تولید این محصول کنسل شود.



کای هیون کیونگ (Kye Hyun Kyung)، مدیر عامل اجرایی بخش تکنولوژی و محصولات فلش در کمپانی سامسونگ، نسل پنجم V-NAND را پیشرفته ترین نوع حافظه NAND در بازار حافظه های مدرن می داند. نخستین سری حافظه های 96 لایه ای سامسونگ با استفاده از قالب 256 گیگابیتی TLC (سه بیت در هر سلول) به تولید انبوه خواهد رسید. پیش بینی می شود این نوع از حافظه، کاربرد گسترده ای در بازارهای موبایل Sony Z2 mini و و SSD داشته باشد. اما برای تأمین تقاضا برای محصولاتی که ظرفیت حافظه بیشتر و هزینه پایین تری به ازای هر بیت نیاز دارند (مخصوصا درایوهای SSD در بخش سازمانی)، قالب های بزرگ تری نیاز است، مثل قالب های 1 ترابیتی QLC (چهار بیت در هر سلول). البته طبق اظهارات کای هیون کیونگ، علاوه بر پیشرفت هایی که ذکر شد، سامسونگ خود را برای تولید این دسته از حافظه ها نیز آماده می کند.


درپایان گفتنی ست، سامسونگ در زمینه تولید حافظه های با چگالی بالا برای بخش های مختلفی مثل ابرکامپیوترها، سرورهای سازمانی و اسمارت فون های پیشرفته، سرآمد بوده و قصد دارد به منظور تأمین طیف گسترده ای از نیازهای بازار، میزان تولید نسل پنجم V-NAND را به سرعت افزایش دهد. 





Thursday, July 12, 2018